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关于【安泰科】单晶硅片周评——3月产量大幅增长,硅片价格保持稳定(2023年3月30日)的信息

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本文目录:

金属普跌 原油重挫*铝棒加工费承压下移*锌矿紧缺下锌价如何走?

【SMM晨会纪要】夜间利空情绪拖累期铜表现不佳 现货成交维持拉锯态势

【SMM铝晨会纪要】美债收益率跳升影响下沪铝走弱 预计铝锭库存拐点临近

【SMM晨会纪要】隔夜伦铅微涨沪铅收跌 再生铅贴水维持

【SMM晨会纪要】美元、美债强势 施压锌价下行

【SMM晨会纪要】期镍短线操作频繁日内波动较大 基本面弱势运行暂无利多释放

【隔夜行情】美债收益率攀升美元走强 金属普跌美布原油重挫逾7%

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昨日外盘金属互有涨跌,伦铜跌近0.7%,伦铝跌近0.6%,伦锌跌近1.8%,伦镍跌近0.4%,伦锡涨近0.9%,伦铅涨近0.3%,伦铜周四承压,因美元走高和美国公债收益率飙升,但铜精矿短缺引发的供应担忧限制了跌幅。今年2月,铜价一度达到每吨9,617美元,为2011年8月以来的最高水平,较年初上涨了16%以上。铜价被投资者视为衡量经济 健康 状况的指标。分析人士指出,过去几周,由于宏观市场的不安和债券市场的恐慌,铜和其他基本金属难以找到明确的方向。国内方面,国际铜跌近0.2%,沪铜跌近0.1%,沪铝跌近1.2%,沪铅跌近0.1%,沪锌跌近1.2%,沪镍跌近0.5%,沪锡涨近0.7%。

美元指数上涨0.46%,至91.82,盘中早些跌至两周低点91.30,10年期美债收益率重拾近期涨势,触及1.754%的13个月新高;收益率上涨速度超过欧元区和英国的同期限国债,美元因此获得支撑。

美股周四收跌。美债收益率飙升使银行股跑赢大盘,同时也使高增长型的 科技 股遭到抛售。美国上周初请失业救济人数升至77万。道指跌153.07点,或0.46%,报32862.30点;纳指跌409.03点,或3.02%,报13116.17点;标普500指数跌58.66点,或1.48%,报3915.46点。

周四,上证指数报3463.07点,上涨0.51%,成交额3165.29亿。深证成指报13963.92点,上涨1.12%,成交额4202.18亿。创业板指报2748.73点,上涨1.65%,成交额1437.27亿。两市合计成交7367.47亿。盘面上,医美、造纸、有机硅等板块涨幅居前,农业、稀土、煤炭等板块跌幅居前。

LME库存

【商务部:中美双方将于3月18日至19日举行高层战略对话】商务部新闻发言人高峰表示,应美方邀请,中美双方将于3月18日至19日举行高层战略对话。如果有进一步的信息,我们将及时发布。

财政部:1-2月,全国一般公共预算收入41805亿元,同比增长18.7%。其中,中央一般公共预算收入20458亿元,同比增长18.7%;地方一般公共预算本级收入21347亿元,同比增长18.7%。同期,印花税1004亿元,同比增长65.5%。其中,证券交易印花税665亿元,同比增长90.5%;对外非金融类直接投资以人民币计同比下降7.9%。

银行间交易商协会:发布《关于明确碳中和债相关机制的通知》。鼓励企业注册发行碳中和债,交易商协会为碳中和债的注册评议开辟绿色通道。鼓励企业注册发行以碳减排项目产生的现金流为支持的绿色资产支持票据等结构性债务融资工具创新产品。碳中和债募集资金应全部专项用于清洁能源类项目、清洁交通类项目、可持续建筑类项目和工业低碳改造类项目。

【欧洲统计局:今年1月英欧贸易出现大幅下滑】当地时间18日,欧洲统计局发布公告称,英国正式脱欧之后,今年1月英欧双边贸易出现大幅下滑。其中,欧盟向英国的出口同比下降27.4%,而英国对欧盟的出口则同比下降更多,达59.5%。由于统计方式不同,欧洲统计局18日公布的下降数据高于上周英国方面的统计数据。

【3月18日再生铜日评:受线缆企业需求低迷影响 再生铜制杆订单转差】 广东光亮铜不含税现金自提价格报59700-60000元/吨,较前一交易上涨200元/吨,精废价差为2262元/吨,扩大244元。受下游线缆企业需求低迷影响,并且部分需求释放后,近两日再生铜杆订单转差。工厂为加快回笼资金,低价出售铜杆……》查看详情

【SMM数据】 3月18日,SMM统计国内电解铝 社会 库存125.0万吨,周度累库2.2万吨,南海及无锡地区增幅放缓,巩义地区表现去库。》查看详情

【全国铝棒库存周评】 3月18日,铝棒市场上周出库量环比增加0.60万吨至7.09万吨,下游需求较上周有所回升。目前铝棒库存环比下降了0.39万吨至23.29万吨。其中常州及湖州地区去库表现良好,库存分别下降0.2万吨,0.5万吨......》查看详情

【铝棒现货日评:基价攀高下铝棒加工费承压下移 市场交投清淡】 3月18日国内铝棒主流市场加工费随基价上涨小幅承压,价格重心较昨日下移30元吨,其中华南市场午前多数持货商下调加工费20-40元/吨,后出货不畅有再次下调20元/吨现象,华东无锡市场价格重心与昨日持平,市场交投清淡,南昌市场价格重心下调30元/吨,市场反应整体成交一般....》查看详情

【现铝午评】 多空持续寻求新的博弈点,午前沪铝窄幅运行17500-17600元/吨,早盘华东市场现货铝锭成交集中17510-17550元/吨,现货贴水集中当月贴水40-20元/吨,一方面铝锭持货商逢高出货意愿仍足,铝锭现货市场流通性相对充裕,另一方面,下游采购观望情绪仍存,入场仍以按需为主。》查看详情

【SMM分析:“能耗双控”政策影响几何 锌矿加工费下一步怎么走?】 从2020年锌精矿生产情况来看,SMM矿山样本企业中,去年由于疫情、雨季、环保等的影响相对较低,主要造成锌矿产量减量的主要原因为……从短周期国内锌矿供需平衡来看,3月国内矿供应仍然短缺…》查看详情

【SMM镍现货日评:金川镍成本走高需求依赖刚需 俄镍报多接少成交清淡】 3月18日期镍冲高回落,早市上行至12.2万附近承压后逐渐重回12万关口。现货价波动有限,买家采购意愿不佳,日内成交情况清淡。报价方面,俄镍依然报多接少,市场对沪镍04合约报升200-400元/吨,并未继续降价观望期盘走势。金川镍由于贸易商近期只可在甘肃接货,且厂家出货量减少后,升水幅度难降,对沪镍04合约报升4000-4200元/吨。》查看详情

【镍生铁交易日评:镍价不锈钢持续弱势运行 镍铁上涨拉动因素难觅】 镍铁市场成交较为清淡,询盘报价者均较少,除保值货外,双方商谈重心达到一致仍需时间,短期镍市场逻辑仍为弱势逻辑,在未见到镍豆大幅去库的前提下,镍价上涨动力难觅,不锈钢市场平稳运行,两者对镍铁的拉动都较低。预计短期镍铁市场仍为弱势运行情况。》查看详情

【会议纪要:“碳中和”背景下 且看钢市后期走向】 SMM认为就短期来看,需求还有抑制,看涨预期已经消化了一部分,对比节前,钢厂的盈利空间也已经打开了一部分,碳中和直接打击的原料价格也是对价格的拖累,钢价还在震荡整理期。但是,从中长期而言,需求的上升空间明显强于供应。整体二季度还是以看涨为主。》查看详情

【铁矿市场每日简评】 3月18日连铁偏强震荡,港口现货市场早盘报价上调5-10元/吨不等。受盘面拉涨,部分商家盘中议价空间较小,而钢厂压价严重,今日市场整体成交氛围转弱。山东地区PB粉早盘成交1138元/吨,较昨上涨13-18元/吨;超特粉成交945元/吨,较昨上涨5元/吨。据市场反馈,近日唐山丰润等地区环保限产管控稍有放松,但曹妃甸地区再出限产通知,后期限产减排仍有预期存在。》查看详情

【SMM热卷库存:供需双向带动 热卷库存降幅进一步扩大】 本周热轧板卷总库存409.13万吨,较上周-26.44万吨,环比-6.07%,同比-26.27%。本周热卷延续全面降库,库存降幅较上周进一步扩大。》查看详情

【SMM螺纹:降库拐点如期而至 钢价蓄力静待需求回归】 截至3月18日,全国建材总库存1731.47万吨,环比-2.22%,农历同比-17.4%。在终端需求的持续恢复之下,本周螺纹库存拐点如期而至。》查看详情

【SMM调坯开工率:调坯开工率大幅回升 高成本抑制下持续性存疑】 据SMM调研,截至3月18日,调坯钢厂开工率81.43%,较2月开工率31%回升50.43个百分点,较去年同期提升7.14个百分点。春节过后,调坯钢厂复产复工较为积极,但在高成本以及部分区域限产抑制下,部分钢厂难以达到满产状态。》查看详情

【SMM分析:短期扰动不改钢价中期偏强趋势】 据SMM调研,3月18日,SMM统计的高炉开工率为85.6%,周环比回升0.6%,月环比下降1.2%。本周,唐山地区部分高炉复产,带动了开工率的小幅回升。》查看详情

【佛山不锈钢日评:部分钢厂挺价指导 商家成交让利空间收窄 短期钢价看稳运行】 据SMM了解今日华南地区各系冷热轧钢价较昨日维持弱稳,短期受需求较少影响看涨空间不大,其中200系钢厂近期挺价操作使得市场贸易让利空间收窄,其中也有部分商家挺价卖货居多,3月中下旬市场消费淡季情况下刚需拿货表现一般,但个别规格交投偏好,商家拿货成本较高,因此市场跌价让利有限。》查看详情

【2021年3月18日高碳铬铁日评】 3月18日,全国高碳铬铁市场暂平稳运行,随着下游不锈钢及镍市场弱势不断,上游铬铁市场情绪一定程度受到影响,业内对于出售采购积极性一般,部分人士以观望为主,实际供需局面来看,铬铁供小于求的现状依旧存在。》查看详情

【SMM镁锭现货快报】 3月18日,府谷地区999镁锭工厂主流价格15300-15400元/吨,95B镁锭主流出厂价15600-15800元/吨;闻喜地区主流成交价15600-15800元/吨,95B镁锭主流成交价16000-16200元/吨。由于部分工厂选择让价入场,持观望态度的下游迫于交单压力,选择进场采购完成订单,市场整体成交量有所提升。目前市场对未来镁价的走势判断仍存在分歧......》查看详情

【SMM电解锰日评:国内电解锰看涨情绪增加 商谈区间偏上行】 3月18日,锰三角主流地区现货含税出厂价围绕16200-16300元/吨,较昨日均价看涨150;广西地区现货含税出厂价围绕16300-16500元/吨,较昨日市价上涨150。》查看详情

【SMM锰矿日评】 3月18日全国进口锰矿报价区间持稳运行,昨日个别贸易商调低0.5元/吨度后有北方业者跟跌,目前北方市场情绪稍有转低,但南方市场业者保持乐观,贵州、重庆地区春节后复产、增产积极,后市华中华南地区丰水期更值得期待,个别锰矿种询价积极;下游方面近期南方市场稳定性强于北方,内蒙地区为首无明显利好政策更新前,北方硅锰现货行情或持续弱稳,北方锰合金市场虽有小幅反弹可能但北方供需关系的不明朗或拖累价格。

【加快推进矿产资源综合利用立法工作 全面提高有色金属矿产资源综合利用水平】 中国有色金属工业协会重金属部主任段绍甫:目前我国尚未出台一部专门针对矿产资源综合利用的法律法规,导致这些法律法规之间存在内容重合的问题,也出现了概念不统一、执行标准不统一的现象,有的甚至在执行中加重了企业的综合利用负担。因此,亟待出台一部具备针对性的《矿产资源综合利用法》,进一步推进我国矿产资源全面节约和循环利用。》查看详情

【碳中和 重估电解铝】 电解铝企业的温室气体核算和报告范围包括四个方面:工业生产过程排放,净购入的电力、热力消费产生的排放,燃料燃烧排放,能源作为原材料用途的排放。其中电力和预焙阳极是主要排放部分。在电解铝高利润和严控碳排放的情况下,电解铝企业倾向于采购高品质阳极。》查看详情

【七天六板顺博合金:铝价的上涨并不能单边为公司产生超额收益】 七天六板顺博合金披露股价异动公告,公司的主营业务是再生铝的生产及销售。主要原材料废铝的采购价格和主要产品再生铝的销售价格呈同向波动趋势,铝价的上涨也会引致废铝原材料的价格上涨,并不能单边为公司产生超额收益。

【全球Top2铝电厂宣布铝电容涨价】 据媒体报道,全球排名分别位列第一、第二的日系铝电厂佳美工(Nippon Chemicon)、尼吉康(Nichicon)已相继宣布调涨铝电容价格。佳美工已向客户端发出涨价通知,国内中大型电源厂已陆续知悉。而17日,下游厂商传出尼吉康的书面涨价通知,以整整一页文字向客户表达目前面临的困境。》查看详情

【中国1-2月铅产量同比增加近三成 但远低于去年四季度水平】 国家统计局公布数据显示,中国1-2月铅产量为110.9万吨,同比增加27.8%。 1-2月铅月均产量远低于去年四季度的水平。市场分析称,1月份河北疫情爆发,导致周边地区物流受阻,铅冶炼企业受到一定影响,供应收紧。随后春节假期来临,多数中小型冶炼企业顺势进入检修或放假状态,产量因此录得下降。

【金力永磁年度报告:2020年度净利润同比增长55.84% 拟每10转6派2元】 金力永磁公告,公司2020年度实现总营收24.19亿元,同比增长42.58%,归属于上市公司股东的净利润2.44亿元,同比增长55.84%。拟向全体股东每10股派发现金红利2元(含税),送红股0股(含税),以资本公积金向全体股东每10股转增6股。

【多晶硅价格本周继续涨逾4%】 据有色金属工业协会硅业分会最新发布的数据显示,本周多晶硅价格继续维持上涨走势,其中复投料、单晶致密料、单晶菜花料成交价涨幅区间在4%-5%。

【第六轮焦炭调降开启】 河北新武安表示,由于焦炭价格上涨幅度较大,生产成本受原材科价格影响压力较大,为回归焦炭合理价位,缓解公司生产成本压力,决定自2021年3月19日零时焦炭价格下调100元/吨。

【焦作万方2020年度净利润5.68亿元 同比增长432.52%】 焦作万方发布2020年年度报告,实现营业收入47.44亿元,同比下降0.36%;归属于上市公司所有者的净利润5.68亿元,同比增长432.52%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润5.73亿元,同比增长440.77%;基本每股收益0.476元,拟每10股派发现金红利0.5元(含税)。经营活动产生的现金流量净额8.28亿元,同比增长13.93%。》查看详情

【宁德时代拟受让天宜锂业10%股权 并采购宜宾锂宝逾20万吨正极材料】 宁德时代在市场公允价格同等条件下,约定未来十年优先采购宜宾锂宝生产的正极材料产品不少于20万吨。同日,天原股份还与宁德时代签订了产权交易合同,拟将天宜锂业10%的股权以5835万元的价格转让给宁德时代。》查看详情

【铁矿石市场近忧缓解远虑仍存】 近日,铁矿石期货行情表现颇为剧烈,先是在3月9日出现许久未见的跌停,而后呈现幅度较大的振荡。铁矿石市场近期交易的主要逻辑是什么,未来市场情绪会有何变化,我们对此展开分析。》查看详情

【《再生钢铁原料》国家标准宣贯暨技术研讨会在张家港成功召开】 3月16日,由中国钢铁工业协会主办,江苏沙钢集团有限公司、冶金工业信息标准研究院、中国废钢铁应用协会、冶金 科技 发展中心承办的《再生钢铁原料》国家标准宣贯暨技术研讨会在张家港成功召开。来自行业企事业单位、科研院所及高校的220多名代表参加了本次会议。会议得到了中冶赛迪集团有限公司、安徽长江钢铁股份有限公司、梧州市永达钢铁有限公司等企业的大力支持。》查看详情

【立昂微:6英寸硅片产品目前正在进行第二轮价格上调】 立昂微在互动平台表示,公司6英寸硅片产品已于2021年初进行过一轮价格上调,目前正在进行第二轮价格上调。其他大尺寸硅片目前正在与客户沟通,协商价格上调相关事宜。

【金价反弹连涨 美联储风险余震难消停 中美会晤前再添变数】 黄金价格持续复苏反弹,目前坐稳1749美元附近震荡。美联储宣布将维持利率不变,避免即时加息的信号并上调经济预测,温和推动市场情绪促使美元下行,支撑着黄金涨势。而在中美两国高层即将会晤前,最新变数风险可能来自于中国企业,正寻求扭转前总统特朗普采取的惩罚性措施。但投资者需要谨慎观察美债收益率的走势,持续走高仍然会限制着金价上行空间。》查看详情

【本月有机硅DMC大涨30% 相关公司将受影响】 近期,国内有机硅中间体及下游产品价格大幅上涨。3月17日,有机硅DMC华东现货最高报30200元/吨,重回3万时代。企业大多按照当天情况一单一议,实时议价。DMC出口报盘4750美元/吨。多家单体大厂再次密集上调报价,瓦克集团近日宣布4月起将提高其全部有机硅产品的全球价格,价格涨幅将在10%到20%之间不等。本月以来,DMC的涨幅已达30%,DMC、生胶、107胶等部分产品的价格较2020年12月初最底位已经涨超过60%。》查看详情

【华达 科技 拟投资建设新能源 汽车 镁合金应用及生产项目】 3月8日,华达 汽车 科技 股份有限公司发布公告称,公司控股子公司江苏恒义汽配制造有限公司拟与吴江市新申铝业 科技 发展有限公司成立合资公司,在江苏省溧阳市中关村产业园共同投资建设新能源 汽车 电池托盘高性能镁合金应用及本地化生产项目,项目总投资不超过3.63亿元,其中江苏恒义拟投资金额2.54亿,新申铝业拟投资1.09亿元。》查看详情

【亿纬锂能软包电池产能为10GWh 目前满产满销】 亿纬锂能董事长刘金成在第二届新能源 汽车 及动力电池(CIBF 深圳)国际交流会中表示:“(软包电池的情况)我们现在有10GWh的产能,今年是满产满销。”

【2月欧洲新车销量同比下跌20%】 行业数据显示,因疫情封锁以及欧洲各地伴随的不确定性影响了销售,2月份欧洲 汽车 注册量同比下降20.3%至850,170辆,欧洲几大主流 汽车 市场销量均出现两位数跌幅,其中西班牙跌幅高达38%。

【因缺芯 沃尔沃 汽车 3月暂停或调整中美两国生产】 3月17日,沃尔沃 汽车 表示,因全球半导体芯片短缺致3月零部件供应不足,将临时暂停或调整中国和美国的 汽车 生产。沃尔沃预计情况将在第二季度变得严峻,因此决定采取措施,最小化对生产的影响。

【SEMI:全球晶圆厂设备支出可望连3年创新高 2021年涨幅达15.5%】 国际半导体产业协会(SEMI)今日公布最新一季全球晶圆厂预测报告称,疫情带动电子设备需求激增,全球半导体产业正往连续3年创下晶圆厂设备支出新高的罕见纪录迈进,继2020年增长16%,今年及2022年预估分别有15.5%及12%的涨幅。三年预测期间内,全球晶圆厂每年将增加约100亿美元的设备支出,最终将于第三年攀至800亿美元大关。

【南方电网:2030年南方五省区将新增2亿千瓦新能源装机容量】 南方电网公司新闻发言人刘巍在18日举行的新闻发布会上说,到2030年南方五省区将新增新能源装机容量2亿千瓦,装机容量达2020年的5倍,非化石能源装机和发电量占比超过六成。据刘巍介绍,为服务好国家碳达峰、碳中和部署,南方电网将推动新能源发展、“新电气化”进程和跨省区能源资源优化配置,构建以新能源为主体的新型电力系统。

【乘车联会:2月份皮卡市场销售3.2万辆 同比增长507%】 根据乘车联会数据,2021年2月份皮卡市场销售3.2万辆,同比增长507%,环比下降33%,新一年开局的皮卡市场继续保持超强走势。2020年皮卡总量增长9%,这也是相对于2019年的皮卡市场强势增长,今年1-2月增长139%也是超强的开局。近几年皮卡成为乘商结合的消费新热点,持续表现较强,但近期皮卡车企分化,主力车企强势提升,部分传统皮卡企业面临巨大的增长压力。

【兆易创新:今年公司的晶圆产能增量预估在30%以上】 兆易创新近日接受机构调研时表示,目前公司与多个晶圆厂保持全面密切的合作关系。在当前晶圆产能非常紧张的情况下,公司和晶圆厂的紧密合作给公司带来稳定的产能。2021年公司获得的产能增量预估能在30%以上,这为公司2021和2022年的业绩增长打下一个坚实的基础。

本文源自SMM

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哪位兄弟解释下多晶硅料和单晶硅料的区别啊

多晶硅;polycrystalline silicon 性质:灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。 在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲,要使太阳能发电具有较大的市场,被广大的消费者接受,就必须提高太阳电池的光电转换效率,降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。 从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原因为;[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;[2] 对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,目前在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。 一、国际多晶硅产业概况 当前,晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料,其市场占有率在90%以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中,形成技术封锁、市场垄断的状况。 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级。其中,用于电子级多晶硅占55%左右,太阳能级多晶硅占45%,随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展,预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。 1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW,而2004年就接近1200MW,在短短的10年里就增长了17倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。 据悉,美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW,日本计划2010年达到5000MW,欧盟计划达到6900MW,预计2010年世界累计安装量至少18000MW。从上述的推测分析,至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上,表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道,世界多晶硅的产量2005年为28750吨,其中半导体级为20250吨,太阳能级为8500吨,半导体级需求量约为19000吨,略有过剩;太阳能级的需求量为15000吨,供不应求,从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大。 据日本稀有金属杂志2005年11月24日报道,世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张,主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大,预计2006年,2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005年世界太阳能电池产量约1GW,如果以1MW用多晶硅12吨计算,共需多晶硅是1.2万吨,2005-2010年世界太阳能电池平均年增长率在25%,到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。 世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司,德国的Wacker公司等,其年产能绝大部分在1000吨以上,其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大,年生产能力均在3000-5000吨。 国际多晶硅主要技术特征有以下两点: (1)多种生产工艺路线并存,产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技术不同;进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%,短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 (2)新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺(电子级和太阳能级兼容)及技术升级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有:改良西门子法的低价格工艺;冶金法从金属硅中提取高纯度硅;高纯度SiO2直接制取;熔融析出法(VLD:Vaper to liquid deposition);还原或热分解工艺;无氯工艺技术,Al-Si溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等。 二、国内多晶硅产业概况 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是世界规模最大的太阳能多晶硅片生产企业。工厂坐落于江西省新余市经济开发区,专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业,拥有国际最先进的生产技术和设备。公司注册资金11095万美元,总投资近3亿美元。2006年4月份投产, 7月份产能达到100兆瓦,8月份入选“RED HERRING亚洲百强企业”,10月份产能达到200兆瓦,被国际专业人士称为“LDK速度奇迹”。荣获“2006年中国新材料产业最具成长性企业”称号。 目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。 2007年6月1日,赛维LDK成功在美国纽约证交所上市,成为中国企业历史上在美国单一发行最大的一次IPO;赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业,是中国新能源领域最大的一次IPO。 该公司1.5万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动,该项目总固定资产投资120亿元以上,预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。 据悉,该项目计划首期在2008年底前建成投产,形成6000吨太阳能级硅料的年生产能力;2009年项目全部建成投产后,将形成1.5万吨产能,从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。

[编辑本段]多晶硅产业发展预测

高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料,在未来的50年里,还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 随着信息技术和太阳能产业的飞速发展,全球对多晶硅的需求增长迅猛,市场供不应求。世界多晶硅的产量2005年为28750吨,其中半导体级为20250吨,太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨,略有过剩;太阳能级的需求量为15600吨,供不应求。近年来,全球太阳能电池产量快速增加,直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响,作为太阳能电池主要原料的多晶硅价格快速上涨。 中国多晶硅工业起步于20世纪50年代,60年代中期实现了产业化,到70年代,生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后,环境污染严重,消耗大,成本高等原因,绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止,国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂(所)、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。 中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长,2005年集成电路产业需要电子级多晶硅约1000吨,太阳能电池需要多晶硅约1400吨;到2010年,中国电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨,光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口,95%以上多晶硅材料需要进口,供应长期受制于人,再加上价格的暴涨,已经危及到多晶硅下游众多企业的发展,成为制约中国信息产业和光伏产业产业发展的瓶颈问题。 由于多晶硅需求量继续加大,在市场缺口加大、价格不断上扬的刺激下,国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。多晶硅项目的投资热潮,可以说是太阳能电池市场迅猛发展的必然结果,但中国硅材料产业一定要慎重发展,不能一哄而上;关键是要掌握核心技术,否则将难以摆脱受制于人的局面。 作为高科技产业,利用硅矿开发多晶硅,产业耗能大,电力需求高。目前电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶硅产业,亟需在条件成熟的地方制定电价优惠政策,降低成本。 由于需求增加快速,但供给成长有限,预估多晶硅料源的供应2007年将是最严重缺乏的一年,预计到2009年,全世界多晶硅的年需求量将达到6.5万吨。在未来的3至5年间,也就是在中国的“十一五”期间,将是中国多晶硅产业快速发展的黄金时期。

[编辑本段]多晶硅行业发展的主要问题

同国际先进水平相比,国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面: 1、产能低,供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20%-30%,半导体用单 晶硅企业开工率在80%-90%,无法实现满负荷生产,多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中,严重制约我国产业发展。 2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年,最佳经济规模在2500吨/年,而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。 3、工艺设备落后,同类产品物料和电力消耗过大,三废问题多,与国际水平相比,国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上,产品成本缺乏竞争力。 4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证,并需要进一步完善和改进。 5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强,基础研究资金投入太少,尤其是非标设备的研发制造能力差。 6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目,存在低水平重复建设的隐忧。 7·产生大量污染。

[编辑本段]多晶硅行业发展的对策与建议

1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟,国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发,科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度,抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。 2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施,加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术,形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线,材料性能接近国际同类产品指标;建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系,提高我们多晶硅在国际上的竞争力。 3、依托高校以及研究院所,加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究,建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系,获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。 4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理,避免低水平项目的重复投资建设,保证产业的有序、可持续发展。

中文别名:硅单晶 英文名: Monocrystalline silicon 分子式: Si 分子量:28.086 CAS 号:7440-21-3 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

[编辑本段]发展现状

单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。 与此同时,鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加,世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略斩重要内容。 在跨入21世纪门槛后,世界大多数国家踊跃参与以至在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热”,一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临,太阳能级单晶硅产品也将因此炙手可热。 此外,包括我国在内的各国政府也出台了一系列“阳光产业”的优惠政策,给予相关行业重点扶持,单晶硅产业呈现出美好的发展前景。

[编辑本段]半导体

非晶硅是一种直接能带半导体,它的结构内部有许多所谓的“悬键”,也就是没有和周围的硅原子成键的电子,这些电子在电场作用下就可以产生电流,并不需要声子的帮助,因而非晶硅可以做得很薄,还有制作成本低的优点.

[编辑本段]物理特性

硅是地球上储藏最丰富的材料之一,从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料,目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 单晶硅熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

[编辑本段]主要用途

单晶硅主要用于制作半导体元件。 用途: 是制造半导体硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 现在,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材,外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。 硅片直径越大,技术要求越高,越有市场前景,价值也就越高。

[编辑本段]研究趋势

日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步,但总体而言,生产技术水平仍然相对较低,而且大部分为2.5、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上,于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅,标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前,全世界单晶硅的产能为1万吨/年,年消耗量约为6000吨~7000吨。未来几年中,世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势:

1、微型化

随着半导体材料技术的发展,对硅片的规格和质量也提出更高的要求,适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前,硅片主流产品是200mm,逐渐向300mm过渡,研制水平达到400mm~450mm。据统计,200mm硅片的全球用量占60%左右,150mm占20%左右,其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明,全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计,全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条,主要分布在美国和我国台湾等,仅我国台湾就有20多条生产线,其次是日、韩、新及欧洲。%P 世界半导体设备及材料协会(SEMI)的调查显示,2004年和2005年,在所有的硅片生产设备中,投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%,投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元,发展十分迅猛。而在1996年时,这一比重还仅仅是零。

2、国际化,集团化,集中化

研发及建厂成本的日渐增高,加上现有行销与品牌的优势,使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面,少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代末,日本、德国和韩国(主要是日、德两国)资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示,Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%,垄断地位已经形成。

3、硅基材料

随着光电子和通信产业的发展,硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的,是常规硅材料的发展和延续,其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI(绝缘体上硅)、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用,SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右,预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司(世界最大的SOI生产商)的2000年~2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

4、硅片制造技术进一步升级

半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺,使制片技术取得明显进展。在日本,Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片,不但能提高硅片质量,而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型,并向0.13μm以下的微细化发展。另外,最新尖端技术的导入,SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此,硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资,针对设计规则的进一步微细化,还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等,并对设备进行了改进。 硅是地壳中赋存最高的固态元素,其含量为地壳的四分之一,但在自然界不存在单体硅,多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价,其次为2价;在常温下它的化学性质稳定,不溶于单一的强酸,易溶于碱;在高温下化学性质活泼,能与许多元素化合。 硅材料资源丰富,又是无毒的单质半导体材料,较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越,易于实现产业化,仍将成为半导体的主体材料。 多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料,是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品,是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料,是信息产业和新能源产业最基础的原材料。

[编辑本段]单晶硅市场发展概况

2007年,中国市场上有各类硅单晶生长设备1500余台,分布在70余家生产企业。2007年5月24日,国家“863”计划超大规模集成电路(IC)配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”完成了验收。这标志着拥有自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备,在我国首次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备,填补了国内空白,初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。 硅材料市场前景广阔,中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快,以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实,为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。[1]

硅片的用处是什么?

在硅片上制造微电路是成批地制造,在微小【安泰科】单晶硅片周评——3月产量大幅增长,硅片价格保持稳定(2023年3月30日)的面积上制出晶体管、电阻、电容而且按要求连成电路已属不易,而在一定面积的硅片上制造出性能一致的芯片则更加困难。集成电路的生产,大多是从硅片制备开始的,硅片的制备需要专门的设备和严格的生产条件。集成电路的制作过程更加复杂,为了保证工艺质量需使用大量昂贵的设备。仅以光刻机为例,【安泰科】单晶硅片周评——3月产量大幅增长,硅片价格保持稳定(2023年3月30日)我们从国外购买一台光刻机的价格就是2000万美金,而光刻机的型号升级诸如从5000型升级到6000型,则要投入上亿美金。而且,集成电路的制作对生产厂房的温度、湿度、空气的清洁度都有很高的要求,集成电路的生产一般都要在超净车间中进行,这种厂房的基本建设投资也大大高于一般厂房,相对于0.25微米6英寸的生产线建设投资2亿美金,建设一条0.25微米8英寸的线则需投入10到15亿美金。

集成电路的制造工艺、设备不仅非常复杂、昂贵,更需要不断创新。英特尔近来已经宣布将投入75亿美元改造它目前的0.18微米生产技术和设备,以采用0.13微米的制造工艺,并在这一工艺制造的集成电路芯片上采用铜线技术而非目前的铝线技术,因为铜线技术可以使芯片的运转速度更快、成本更低而且使用时升温幅度更小。

【安泰科】单晶硅片周评——3月产量大幅增长,硅片价格保持稳定(2023年3月30日)我们在某种程度上逾越了技术封锁与设备禁运的时候,使我们掣肘的是我国技术工业的基础还有相当大的差距。举一个例子,光刻机的研制需要光学、精密仪器、机械、计算机控制等多种学科的知识,我们虽然可以把光刻机的原型器械和原理搞得一清二楚,但是经过材料、加工到生产的一系列环节之后,就是无法做出大规模生产的这种机器来。我们可以从美国买来光刻机,从意大利买来刻蚀机等等,但是我们很难把这些设备配置在一起,我国在集成电路工艺上的研究还没有大突破,集成电路工艺是设计和设备的桥梁和基础,设计与工艺不结合,设计做不上去,设备也做不出来。

还有一个值得指出的是,技术引进不等于自主技术的提升。随着我国对外开放、经济环境的日益宽松,现在技术、资本、设备都成套地被引进来,这在促进我国设备和材料方面具有一定的积极作用,但对于其它方面并没有什么太多的影响,因为这种引进并没有改变我国集成电路的技术工业基础,在核心技术层面上并没有使我们与先进水平缩短什么差距。

讲一个我们亲身经历的事儿。首钢 N EC最初引进的是6英寸、0.5微米(部分是0.35微米)的生产工艺,开始由 N EC负责管理生产、产品销售,日子很好的时候,我们提出想与他们进行研发合作,但颇受冷落。可是几年以后他们引进的技术落后了,外方也放手许可他们做“代工”,但是没有技术支撑,能做什么呢【安泰科】单晶硅片周评——3月产量大幅增长,硅片价格保持稳定(2023年3月30日)?后来他们回过头来又找我们合作;最近我们还听到华虹 N EC传出巨额亏损的消息,于是也有人反问:如果像华虹 N EC有关人士介绍的,它的亏损缘自世界半导体需求的下降以及 D RAM价格的暴跌,那么 D RAM卖不动了可不可以做些别的?我们没有这样的开发能力,不可能进行产品转型。

什么叫太阳能级硅片

普通半导体器件用的硅片纯度是99.9999999999%,俗称12个9.

而太阳能级硅片的纯度只要达到99.9999%,即6个9即可。

可以参考以下链接的内容:

太阳能光伏产业调研报告 能源是人类社会赖以生存的物质基础,是经济和社会发展的重要资源。长期以来,化石能源的大规模开发利用,不但迅速消耗着地球亿万年积存下的宝贵资源,同时也带来了气候变化、生态破坏等严重的环境问题,直接威胁着人类的可持续发展。随着科学技术的进步,人类对可再生能源尤其是风能、太阳能、水能等新型可再生能源的认识不断深化。太阳能作为取之不尽的可再生能源,其开发利用日益受到世界各国尤其是发达国家的高度重视,太阳能光伏产业的规模持续扩大,技术水平逐步提高,成为世界能源领域的一大亮点,呈现出良好的发展前景。

一、国外太阳能光伏产业基本情况

日本、德国和美国是推动光伏发电系统最有力的国家。资料显示,欧盟希望在2010年安装3GW的光伏发电装置,2030年增加到200GW左右。美国预计2020年光伏发电累计安装量达到36GW。日本计划到2010年安装近5GW。

日本1994年实施“朝日七年计划”,目前已安装了近7万个太阳能屋顶,预计到2010年要安装100万个太阳能屋顶。德国2000年通过可再生能源法,以固定优惠收购电价鼓励可再生能源,并于2004年4月进一步补充修订可再生能源法,使得德国2004年光伏发电系统设备大幅增加,并一举超过日本成为全球最大光伏发电系统装设地区。根据Solarbuzz提供的数据,2004年,德国光伏发电系统装设容量为361MW,同比增长152%,已占全球总量的39%;日本以278MW的装设容量占全球30%。德日两国装设容量占了全球2/3以上。目前我国电池产品也主要出口到上述两国。美国于1997年宣布百万屋顶计划,计划到2010年在100万座屋顶上安装光伏发电和光热系统。

过去十年,随着世界光伏市场需求量大幅增加,加上大规模制造技术的不断提升,推动了世界光伏产业的快速发展,光伏电池产量从1995年的78.6MW,提高到2005年的1727MW,年均增幅达到32.4%。可以预见,未来15年世界光伏生产规模将保持年均20%以上的增长,甚至有更为乐观地估计,到2010年,全球太阳能产量将增长4倍,销售收入增长3倍,利润增长3倍。

世界光伏电池制造主要集中在日本、德国、美国、西班牙等发达国家,其中日本2005年光伏电池产量达到833MW,占据了世界光伏市场份额的近半壁江山,中国大陆进入了世界光伏制造十大国之一,2005年光伏电池产量为128MW,列世界第四位,占世界市场分额7.4%。

年度统计表:1995-2005年世界太阳能电池产量和增长率

年份 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

产量(MW) 78.6 89.6 125.8 153 201.4 278 395 536 742 1194 1727

增长率(%) 12.6 14 40.4 21.5 31.8 38 42.1 35.7 38.4 60.9 44.6

99-05年增长率

2005年世界主要太阳能电池制造商产量产能和市场份额一览表

公司名称 产品类型 国别/地区 产量(MW) 产能(MW) 市场份额 产量排名

Sharp(夏普) 单/多晶硅非晶硅 日本 428 600 24.78% 1

Q-Cells 单/多晶硅 德国 160 300 9.26% 2

Kyocera(京瓷) 多晶硅 日本 142 240 8.22% 3

Sanyo(三洋) a-Si/sc-Si*非晶硅 日本 125 158 7.24% 4

Mitsubishi(三菱电子) 多晶硅 日本 100 135 5.79% 5

Schott Solar 多晶硅

EFG带硅

非晶硅 德国 95 113 5.50% 6

BP Solar 单/多晶硅

非晶硅 美国 90 157 5.21% 7

尚德太阳能 单/多晶硅 中国无锡 85 120 4.92% 8

Motech(茂迪) 单/多晶硅 中国台湾 60 100 3.47% 9

Shell Solar 单/多晶硅 CIS 薄膜 德国 59 110 3.42% 10

Isofoton 单晶硅 西班牙 53 90 3.07% 11

Deutsche Cell 多晶硅 德国 38 40 2.20% 12

Photowatt 多晶硅 法国 24 30 1.39% 13

United Solar

Ovonic 非晶硅 美国 22 30 1.27% 14

Kaneka

Solartech 非晶硅 日本 21 23 1.22% 15

SunPower 单晶硅 美国 20 50 1.16% 16

Ersol Solar Energy 多晶硅 德国 20 25 1.16% 17

E-Ton Solar (益通) 单/多晶硅 中国台湾 20 28 1.16% 18

First Solar CdTe 美国 20 25 1.16% 19

GE Energy(原Astropower) 单晶硅 美国 18 25 1.04% 20

Sunways 多晶硅 德国 16 42 0.93% 21

Evergreen Solar 带硅(String Ribbon) 美国 14 15 0.81% 22

MHI(三菱重工) 非晶硅 日本 12 12 0.69% 23

宁波太阳能 单晶硅 中国 12 16 0.69% 24

天达光伏 CdTe薄膜 德国 10 30 0.58 35

世界总计 1727 - 100%

二、我国太阳能光伏产业和应用情况

(一)光伏产业情况

1、硅材料和硅片

目前太阳能电池厂家广泛采用的原料是多晶硅,多晶硅同时还是半导体的原料。多晶硅由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来,太阳能级硅纯度要达到99.9999%,即6个9,而半导体用硅要求硅纯度达到99.9999999999%,即12个9。

光伏产业的持续快速增长,使得主要依赖半导体工业用硅的头尾料、废料和剩余产能已经不能满足光伏市场的需求,光伏和半导体产业对硅料的竞争需求直接造成目前硅料的供应紧张和价格上涨,2003年每公斤24美元,2004年涨到32美元,目前市场价格正逼进100美元。尽管目前各主要硅料制造商都在扩充产能,而且新增产能基本都用于满足光伏产业的需要,根据市场需求和主要硅料供应商未来供应能力方面的数据分析,到2008年硅料供应紧张的状况有所缓解。

世界多晶硅原料光伏供应与需求关系

供应紧张的后果不仅是价格疯涨,部分电池企业根本就无法获得硅料,我国电池企业所用硅料90%以上靠进口,不少电池企业由于没有充足硅料,电池生产能力被放空,甚至处于“等米下锅”的境地。

迄今为止,生产高纯度多晶硅提炼技术还掌握在发达国家的少数企业手中。下表给出了包括SGS、Hemlock、Wacker、Tokuyama、AsiMI等在内的8家世界主要高纯多晶硅原料制造商产量及其光伏供应量数据。

世界晶硅原料制造商产量及其光伏供应量一览表

制造商名称 国别 2004年 2005年预测

总产量(吨) 光伏供应量(吨) 总产量(吨) 光伏供应量(吨)

SGS(与AsiMI合资) 美国 2100 2100 2300 2300

Hemlock 美国 7000 2700 7400 2700

Wacker 德国 5000 2400 5000 2400

Tokuyama(德山) 日本 5200 2000 5200 2000

ASiMI 美国 2200 0 3000 200

MEMC 意大利 2500 0 3700 700

住友 Sitix Sumitomo Titanium 日本 700 0 700 0

三菱* 日本 2800 300 2800 300

其它 500 0 2000 1000

合计 28000 9500 32100 11600

其它光伏用硅原料供应商(含半导体工业的边角料,废料以及库存用量等) 4000 4000

光伏应用合计 13500 15600

*三菱产量为三菱材料和三菱多晶两家总产量

国外硅料生产商意识到这是一轮大牛市,纷纷行动起来,积极扩大产能。例如,全球最大硅料供应商Hemlock于今年11月中旬宣布,计划在美国投资4-5亿美元扩充产能,将现有产能扩充50%。全球第三大硅料生产商Wacker也有宏伟扩产计划,2007年将其产能从目前的5000吨扩充到9000吨。

由于当前国际硅料供应的紧张,给迅速升温的国内光伏产业带来了不利的影响。然而,投资硅料比投资太阳能电池生产将面临更高的资金、技术及人才的门槛,但最重要的门槛还不是资本,而是技术。目前国内掌握硅料生产技术的主要有新光硅业、洛阳半导体厂。洛阳半导体厂以及作为新光硅业科研生产基地的峨嵋半导体厂的项目此前都已建设多年,但由于受技术水平较低、资金不足、规模小等限制,根本无法与国际巨头竞争。为了尽快摆脱受制于国外硅材料的被动局面,国内有条件的企业也在加快提高多晶硅产量。新光硅业引进俄罗斯技术,投资12亿元建设1200吨多晶硅项目。洛阳中硅以峨嵋半导体材料厂的技术班底为依托,300吨多晶硅项目已投产并在建设二期工程。以生产电池和组件为主的天威公司,也在加快向产业上游扩张,2005年收购了四川峨嵋半导体材料厂,成为其第二大股东。

太阳能电池用硅锭/硅片生产主要包括单晶硅棒拉制和多晶硅铸锭制造以及切片。2003年前,我国硅锭/硅片生产规模较小,成本优势不明显。经过2004年以来两年的发展,生产企业增多,产量得到提高,硅锭/硅片生产已形成一定规模,硅片生产能力基本能够满足国内市场需求。

中国晶硅材料的生产供应情况

企业名称 目前产能(吨) 新建和扩产后产能(吨) 技术

来源 投产时间

四川新光硅业科技有限公司 0 1200 峨嵋半导体材料厂,引进部分俄罗斯技术和国外设备 2007年初

洛阳中硅高科技有限公司 30 一期 300

二期 3000 洛阳单晶硅公司,中国有色工程设计总院 一期2005年底,二期2007年

宁夏石嘴山市 0 5000 俄罗斯稀有金属研究院 筹建

云南爱信硅科技有限公司 0 一期3000

总一万吨 引进德国生产线技术 一期投资25亿,2007年底

江苏顺大半导体发展有限公司 0 一期1500吨总3000吨 美国Hemlock 总投资30亿,一期2007

辽宁凌海市 0 1000 引进美国生产线生产 投资11亿 招商当中

四川超磊实业 0 1000 与美国公司合作引进技术产品外销模式 筹建

峨嵋半导体材料厂 100 220 自主技术 2006年

2、光伏电池和组件

近几年,我国的光伏制造能力实现了跨越式的发展,特别是2002年以来,随着无锡尚德、保定天威英利等新建规模企业的陆续建成投产和原有主要企业天达光伏和宁波太阳能等企业的产能扩张,我国的光伏电池生产能力迅速提升。此外,一大批规模光伏组件封装企业涌现出来,典型的包括上海太阳能科技、佳阳新能源、京瓷(天津)和力诺桑普等,使得我国无论是组件还是电池生产迅速向世界光伏制造大国迈进。

近三年,中国的光伏制造一步一个台阶,处于年均增幅超过100%的高增长期。2002年中国光伏制造首次跻身世界10强,组件和电池产量均位居世界第7;2003年中国电池产量和组件产量分别排名世界第6和第5;2005年中国光伏电池和组件制造又全面跻身世界四强,电池、组件产量排名第4。尽管2003年底以来上游硅片的短缺多少影响了中国光伏产量的进一步放

中国光伏硅片制造产量和产能一览表

企业名称 产品类型 2004年(MW) 2005年(MW)

产量 年底产能 产量 年底产能

保定天威英利 多晶硅片 4.7 6.0 15 70

宁波晶元太阳能(中意太阳能) 多晶硅片 2 2 3 5

河北晶龙集团 单晶硅棒

单晶硅片 800吨

20MW 800吨

20MW 1000吨

24MW 1000吨

25MW

镇江环太硅 单晶硅片 200万片

(4MW) 600万片

(15MW) 700万片

(17MW) 1000万片

(25MW)

海润科技 单晶硅片 100万片

(3MW) 1000万片

(30MW) 600万片

(15MW) 1500万片

(40MW)

鑫日硅 单晶硅棒 10吨 30吨 40吨 400吨

锦州新华石英玻璃集团公司 单晶硅棒 - 188吨 - 200吨

宁波太阳能 单晶硅片 1MW 1MW 1MW 1MW

西安骊晶电子 单晶硅片 1MW 1MW 1MW 1MW

昆明天达光伏 单晶硅片 0.5MW 0.5MW 0.5MW 0.5MW

新疆新能源 单晶硅片 2006年2月试产成功,产能100MW

顺大半导体 单晶硅棒

单晶硅片 2005年初开始量产单晶硅棒,2005年产量约300吨,目前年产能约450吨,到2006年底将形成800吨的产能。硅片产品已于2006年3月开始投产

精功绍兴太阳能 多晶硅片 2005年底投产,一期产能10MW,2006年将达产300万片

常州天合光能 单晶硅片 2005年底投产,产能30MW,正扩建产能到100MW

塞维LDK 多晶硅片 已经于2006年3月投产,产能75MW,07年形成200MW产能,2008年达到400MW产能

洛阳单晶硅 单晶硅片 目前供应半导体应用为主,未来形成年100MW光伏硅片

高佳太阳能 单晶硅片 2005年年底量产,一期加工产能800万片(20MW)二期投产后全部加工产能2400万片

合计 多晶硅片

单晶硅片

硅片 6.7MW

29.5MW

36.2MW 8MW

68.5MW

76.5MW 18.5MW

63.5MW

82.0MW 85MW

140MW

225MW

大。随着越来越多的企业投资光伏行业,到2005年底中国光伏电池总产能将达到250MW,组件总产能超过400MW。目前中国总体上已经成为仅次于日德的第三大光伏制造国。

中国光伏电池和组件产量和增长率

年份 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

组件产量(MW) 1.8 2 2.1 2.5 3.1 4.1 14.9 24.8 88.8 210

增长率(%) 50.1 10.5 5 24 19 32.3 263 66.4 258 136

电池产量(MW) 1.8 2 2.1 2.5 3.1 4.3 11.9 19 52.8 150

增长率(%) 50.1 10.5 5 24 19 32.3 190 59.7 178 185

中国主要光伏电池和组件制造商产量一览表

制造商 产品类型 2004年产量(MW) 2005年产量(MW)

电池 组件 电池 组件

尚德太阳能 单晶硅

多晶硅 35 40 85 85

天威英利 多晶硅 4 5 4 17

中电光伏 单晶硅

多晶硅 - - 5- -

上海太阳能 多晶硅

单晶硅 - 10 - 30

京瓷(天津) 多晶硅 - 10 - 15

天达光伏 单晶硅 4 3 10 9

宁波太阳能 单晶硅 5 4.5 12 12

创益科技 非晶硅

多晶硅 2.5 5.5 3 7

哈克新能源 非晶硅 0.8 0.8 0.8 0.8

力诺桑普 多晶硅 - 1.0 - 3

津能电池 非晶硅 0.5 0.5 3.5 3.5

林洋新能源 单晶硅

多晶硅 - 0.1 - 7.5

佳阳新能源 单晶硅

多晶硅 - 2.4 - 6.5

交大泰阳 单晶硅 - 0.5 3 5

玄中新能源

(奥奇太阳能) 单晶硅

多晶硅 - 0.5 - 2

世华创新 单晶硅

多晶硅 - - - 6

其他 - 1.0 5 2 10

总计 52.8 88.8 128.3 219.3

光伏总产能 至2005年底中国电池总产能420MW,组件总产能450MW,硅片总产能225MW。

(二)光伏发电应用

在太阳能光伏发电应用方面,目前我国主要以解决西部无电地区应用为主,国内市场并不足以消化制造商不断增加的产能,目前中国光伏产品90%以上出口欧洲、日本等国际市场。

中国光伏发电重大项目一览表

项目名称 出资方 支持力度 主要内容 执行期 执行地域

“光明工程”先导项目 国家发改委,地方政府 400万人民币 建立村落电站和户用系统,帮助建立销售网络和加强机构能力建设 2000- 西藏、内蒙古、甘肃

“送电到乡”工程 原国家计委,地方政府 26亿人民币 建立集中电站 2002-2003 新疆、西藏、甘肃、陕西、内蒙古、四川、青海

内蒙古新能源通电计划 内蒙古自治区政府 2.25亿人民币 补贴农村户用系统 2001- 内蒙古

世行、全球环境基金REDP项目 全球环境基金 2550万美元 补贴农村户用系统销售,帮助机构能力建设和技术进步 2002-2007 新疆、西藏、甘肃、内蒙古、四川、青海

丝绸之路照明计划 荷兰政府 1379万欧元 补贴农村户用系统 2002-2006 新疆

德援KFW项目* 德国政府 2600万欧元 建立村落电站 2003-2005 新疆、云南、青海、甘肃

德援GTZ项目** 德国政府 约460万欧元 技术支持与培训 2003- 青海、云南、西藏、甘肃

加拿大太阳能项目 加拿大政府 343万加元 建立示范电站及管理培训 2003-2005 内蒙古

日本援助NEDO项目 日本政府 3853万人民币 建立示范电站;实验室建设 1998-2002 新疆、西藏、甘肃、陕西、宁夏、内蒙古、四川,青海、云南、广东、浙江、河北

*KFW项目的全称为:中德财政合作西部太阳能项目

**GTZ项目的全称为:中德技术合作在农村地区应用可再生能源改善当地发展机遇项目

随着世界光伏市场需求持续高速增长以及我国《可再生能源法》的颁布实施,中国在光伏制造快速增长的同时,光伏应用的步伐也将加快。根据我国初步完成的《可再生能源中长期发展规划》,2020年,我国光伏发电将达到2GW。虽然与发达国家有差距,但跟2004年我国光伏发电仅65MW的基础相比,未来20年的增幅也将相当可观。目前,相关部门正在着手研究制定光伏发电的扶持政策。

下表在国内外调研数据的基础上,对未来五年中国光伏产业从组件价格(元/Wp)、组件产量(MW)、组件产值(亿元)、年度并网安装份额(%)、累积安装容量(MW)等几个方面的数据进行了分析预测。

2005-2010年中国光伏产业主要数据预测

年份 组件价格

(元/Wp) 组件产量

(MW) 组件产值

(亿元) 年度并网安装

份额(%) 年度并网安装份额(%) 累积安装容量(MW)

2005 37 200 74 8 8 104

2006 37 300 111 13 13 150

2007 35 400 140 21 21 DIV

半导体产业链之单晶硅片行业深度研究

(温馨提示:文末有下载方式)

近期,硅片尺寸之争再起,硅片龙头隆基股份推出 M6 大硅片产品,并同时发布大硅片组件 Hi-MO4,清楚 表明了力推 M6 的意愿。那么 历史 上硅片尺寸经历过怎样的变化过程?隆基为何要力推 M6?与另一尺寸路线 158.75 方单晶相比,M6 有何优势,二者谁将胜出?M6 之后,是否会有更大尺寸的硅片产品推出?本报告试图 解答这些问题。

光伏硅片尺寸源自半导体,经历了从 125 到 156,从 M0 到 M2 这一不断增大的过程。 光伏硅片尺寸标准源 自半导体硅片,在摊薄成本和提高品质这两大需求的推动下,半导体硅片尺寸不断增大,光伏硅片也随之经历 了从小到大的过程。近年来,光伏硅片尺寸经历了 3 次较大的变革:1)1981 至 2012之间,硅片边距由 100 和 125 大幅度增大为156,成本大幅摊薄;2)2013 至 2017年,硅片规格从 M0(边距 156,直径 200)变革为 M1 (边距 156.75,直径 205)与 M2(边距 156.75,直径 210),组件尺寸不变,硅片尺寸增大,从而摊薄成本;3) 目前正在进行中的变革是硅片规格从 M2 变革为 158.75 方单晶或者M6大硅片,这次变革增厚了产业链各环节 利润空间,并将硅片尺寸推至当前设备允许的极限。

增大硅片尺寸的驱动力是提高溢价、摊薄成本、拓展利润空间,在这些方面上 M6 比 158.75 方单晶更有优 势。 在电站建设中,使用大硅片高功率组件可以减少支架、汇流箱、电缆等成本,从而摊薄单瓦系统成本,为 组件带来溢价;在组件售价端,158.75 方单晶可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱。在制造成本端,大硅片本身可 以摊薄硅片、电池、组件生产环节的非硅成本,从而直接增厚各环节利润;在硅片、电池、组件总成本方面: 158.75 方单晶可降低 2 分钱,M6 可降低 5 分钱。因而,总的来看,158.75 方单晶的超额利润为 4 分钱,M6 超 额利润为 13 分钱,M6 的空间更大。在目前的价格水平下,158.75 方单晶所获超额利润基本留在了硅片环节, 而 M6 大部分超额利润流向了组件环节。推广 M6 硅片的原动力在于增厚产业链各环节利润。在定价方面,我 们认为 M6 定价紧跟 M2 即可始终保持竞争优势,使得各环节的摊薄成本内化为本环节的利润,从而使各环节 毛利率均有提高。

M6已达部分设备允许尺寸的极限,短时间内硅片尺寸标准难以再提高。 增大硅片尺寸的限制在于现有设 备的兼容性。通过梳理拉棒切片、电池、组件三个环节用到的主要生产设备,我们发现现有主流设备可以兼容M6硅片,但这一规格已基本达到现有设备允许的尺寸上限,继续增大硅片尺寸则需重新购置部分设备,使得增 大尺寸带来的成本下降被新购设备带来的成本上升所抵消。因而短时间内硅片尺寸标准难以再提高,M6 将在相 当长的一段时间内成为标准上限。

硅片形状分类:方形和准方形

从形状来看,硅片可以分为方形硅片和准方形硅片两大类。方型硅片并非完全正方,而是在四角处也有小 倒角存在,倒角长度 B一般为 2 mm 左右。准方形硅片四角处为圆倒角,尺寸一般比方型硅片的倒角大很多, 在外观上比较明显。

硅片的关键尺寸:边距

对方形硅片来说,因为倒角长度变化不大,所以描述其尺寸的关键在于边距 A。 对准方形硅片来说,由于其制作过程为圆棒切方然后切片,倒角为自然形成,因而其关键尺寸是边距 A 与直径 D。

尺寸标准:源自半导体硅片

光伏硅片与半导体硅片技术本身极为相似,半导体产业规模化发展早于光伏,因而早期光伏硅片尺寸标准 主要源自半导体硅片行业。

半导体硅片尺寸经历了从小到大的过程。60 年代出现了 0.75 英寸的单晶硅片;1965 年左右开始出现少量 的 1.5 英寸硅片;1975 年左右出现 4 英寸硅片;1980 年左右出现 6 寸片;1990 年左右出现 8 寸片;2000 年左 右出现 12 寸片;预计 2020 年左右 18 寸片将开始投入使用。

半导体硅片尺寸不断增大的根本驱动力有两条:1)摊薄成本;2)提高品质。硅片尺寸越大,在制成的每 块晶圆上就能切出更多芯片,从而明显摊薄了单位成本。同时随着尺寸的增大,边缘片占比将减少,更多芯片 来自于非边缘区,从而产品质量得到提高。

近年来光伏硅片尺寸经历了3 次变革

光伏硅片尺寸标准的权威是 SEMI(国际半导体产业协会)。跟踪其标准发布 历史 ,可以发现近年来光伏硅片尺寸经历了 3 次主要的变革:

1) 由 100 和 125 大幅度增大为 156;此阶段为 1981 至 2012 之间。以 2000 年修改版后的标准 SEMI M6-1000 为例,类原片有 100/125/150 三个尺寸,对应的边距均值分别为 100/125/150 mm,直径分别为 125/150/175 mm,即严格按照半导体硅片尺寸来给定。2012 年,原 SEMI M6 标准被废止,新的 SEMI PV22 标准开始生效,边距 156 被加入到最新标准中;

2) 由 156(M0)小幅调整至 156.75(M2);在标准方面,通过修订,新增的 M2 标准尺寸被纳入 SEMI 标 准范围内,获得了业界的认可;

3)由 156.75(M2)小幅调整至 158.75 或者大幅增大为 166。此次变革尚在进行中。

第一次尺寸变革:125 到 156

2012 年前,光伏硅片尺寸更多地沿用半导体 6 寸片的规格,但由于电池生产设备的进步和产出量提升的需求,125 mm 硅片逐步被市场淘汰了,产品大多集中到156 mm 上。

从面积上来看,从 125 mm 硅片过渡到 156 mm,使硅片面积增大 50%以上,大大提高了单个组件产品功率,提高了资源开发与利用效率。

相比边距,当时直径的规格较多。边距 125 对应直径 164 mm 为主流,边距 156 对应直径 200 为主流(M0)。

第二次尺寸变革:M0 到 M1 再到 M2

第二次尺寸变革主要是指从 M0(边距 156 mm,直径 200 mm)变革为 M1(边距 156.75 mm,直径 205 mm) 与 M2(边距 156.75 mm,直径 210 mm)。这一变革在组件尺寸不变的情况下增大了硅片面积,从而提高了组件 封装效率。硅片面积的提升主要来自两个方面:1)边距增大使硅片面积增大,主要得益于设备精度不断提高, 可以增大硅片边距、减小组件排版时电池间的冗余留白;2)圆角尺寸减小使硅片面积增大,主要得益于拉棒成 本的不断降低,可使用更大直径的硅棒以减小圆角尺寸。

这一变革由中国硅片企业推动,并在 2017 年得到 SEMI 审核通过,成为行业统一的尺寸。2013 年底,隆基、 中环、晶龙、阳光能源、卡姆丹克 5 家企业联合发布 M1 与 M2 硅片标准,在不改变组件尺寸的前提下,M2 通 过提升硅片面积使组件功率提升一档,因而迅速成为行业主流尺寸。

设备无需更改,1 年时间完成切换。此次尺寸改动较小,设备无需做大更改即可生产 M2 硅片,因而切换时 间较短。以隆基为例,在其 2015 年出货产品中,M1 硅片占比 80%,M2 占比仅为 20%;2016 年 M2 占比已达 98%;2017 年已完全不再生产 M0 与 M1 硅片。

第三次尺寸变革:从 M2 到 M6

M2 尺寸标准并未持续很长时间。由于市场对高功率组件的需求高涨,而已建成的电池产线通过提高效率来 提升功率相对较难,相比之下通过增大电池面积来满足更高的组件功率需求成为了部分厂商的应对之策,使得 硅片尺寸出现了 157.0、157.3、157.5、157.75、158.0 等多样化规格,给产业链的组织管理带来极大的不便。

在此情况下,业内再次考虑尺寸标准化问题,并出现了两种标准化方案:1)158.75 全方片。这一方案在不 改变现有主流组件尺寸的情况下将硅片边距增加到极限 158.75 mm,同时使用方形硅片,以减小倒角处的留白, 从而使得硅片面积增加 3%,对应 60 型组件功率提升约 10W;2)166 大硅片(M6)。这一方案是当前主流生产 设备所允许的极限尺寸,统一到这一尺寸后业内企业难以再通过微调尺寸来提升功率,从而使得此方案的持久 性潜力更大。与 M2 硅片相比,其面积增益为 12%,对应 60 型组件功率提升约 40W。

使用大硅片的驱动力有以下两点:

1)在电站建设中,使用大硅片高功率组件可以减少支架、汇流箱、电缆等成本,从而摊薄单瓦系统成本, 为组件带来溢价;

2)在制造端,大硅片本身可以摊薄硅片、电池、组件生产环节的非硅成本,从而直接增厚各环节利润;

组件售价:158.75 可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱

电站的系统成本由组件成本和非组件成本构成,其中非组件成本可以分为两大类:1)与组件个数相关的成 本,主要包括支架、汇流箱、电缆、桩基和支架安装成本等;2)与组件个数无关的成本,主要包括逆变器和变 压器等电气设备、并网接入成本、管理费用等,这部分一般与电站容量相关。在电站容量一定的情况下,组件 个数取决于单个组件功率,因而组件个数相关成本也可叫组件功率相关成本。

对于尺寸、重量相近的光伏组件,在其设计允许范围内,支架、汇流箱、电缆等设备与材料的选型可不做 更改。因而对于单个组串,使用 M2、158.75 全方片和 M6 三种组件的成本相同,由此平摊至单瓦则其组件个数 相关的成本被摊薄,158.75 全方片比 M2 便宜 2 分钱,M6 比 M2 便宜 8 分钱。因此在组件售价端,158.75 全方 片的组件最多可比 M2 的组件溢价 2 分钱,M6 的组件最多可比 M2 的组件溢价 8 分钱。在前期推广阶段,组件 厂可能将此部分溢价让利给下游电站,以推动下游客户偏好转向 M6 硅片。

组件成本:158.75 可摊薄 2 分钱,M6 可摊薄 5 分钱

在总成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 2 分钱,M6 比 M2 低 5 分钱。这一成本降低是制造端产业链推广 M6 源动力,也是推广 M6 为产业链增厚的利润空间。拆分到各环节来看: 1)硅片单瓦成本方面,158.75 方单晶硅片比 M2 硅片低 0.1 分钱,M6 硅片比 M2 硅片低 1.6 分钱; 2)电池成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 0.3 分钱,M6 比 M2 低 0.9 分钱; 3)组件成本方面,158.75 方单晶比 M2 低 1.5 分钱,M6 比 M2 低 2.3 分钱。

硅片成本测算

硅片成本可拆分为硅成本、非硅成本、三费。其中:

1)硅成本与方棒面积成正比,即 M6 比 M2 贵 12%(0.122 元/片),158.75 比 M2 贵 3%(0.031 元/片);

2)非硅成本中,在拉棒成本方面,圆棒直径变粗使得拉棒速度降低幅度小于圆棒面积增大幅度,最终 M6 比 M2 便宜 6.7%(2.38 元/kg);158.75 方单晶切方剩余率较低,最终使其比 M2 贵 1.5%(0.53 元/kg)。切片成 本大致与方棒面积成正比,最终使得 M6 非硅成本比 M2 贵 7.2%(0.066 元/片),158.75 比 M2 贵 3.8%(0.036 元/片);

3)三费均以0.40元/片计。

综合来看,在单片成本方面,M6 比 M2 贵 8.1%(0.188 元/片),158.75 比 M2 贵2.9%(0.066 元/片);平摊到单瓦成本,M6 比M2便宜 0.016 元/W,158.75 与 M2 基本持平。

非硅成本由拉棒成本和切片成本两部分组成。在单位重量拉棒成本方面,直径越大则单位重量长晶速度越快,因而M6 比 M2 便宜;方单晶切方剩余率低,因而 158.75 方单晶比 M2 贵。

电池成本测算

置成本、非硅成本、三费。其中: 1)硅片购置成本与硅片定价策略有关,这里以 2019-6-20 价格为例,M2/158.75 方单晶/M6 三种硅片含税价格分别为 3.07/3.47/3.47元/片,摊薄到单瓦后,M6 与 M2 相近,158.75 比 M2 贵 0.049 元/W; 2)非硅成本方面,M6 比 M2 降 0.009 元/W,158.75 比 M2 便宜 0.002 元/W; 3)三费均假设为 0.10 元/W。

综合来看,电池环节的附加成本变化不大。

具体来看,在非硅成本中,银浆、铝浆、TMA 等的用量与电池面积相关,最终单瓦成本不变;折旧、人工 等与容量产能相关的成本会被摊薄。

组件成本测算

组件成本可拆分为电池购置成本、非硅成本、三费。其中:

1)电池购置成本与电池定价策略有关,目前 M2/158.75 方单晶两种电池含税价格为 1.20/1.24 元/W,M6 电池尚无公开报价,考虑到目前 M6 与 M2 硅片单瓦定价相同,且电池成本变化不大,因而假设定价与 M2 相同;

2)非硅成本方面,M6 比 M2 便宜 0.024 元/W,158.75 比 M2 便宜 0.015 元/W;

3)三费均假设为 0.20 元/W。

综合来看,电池环节的附加成本降低幅度大于电池环节,但依然变化不大。

具体来看,在非硅成本中,EVA、背板、光伏玻璃等主要组成部分随本来就以面积计价,但 M6 与 158.75 产品提高了面积利用率,成本会有小幅摊薄;同时产线的产能节拍不变,但容量产能增加。从而接线盒、折旧、 人工等成本会被摊薄。

各环节利润分配:158.75 超额利润在硅片,M6 超额利润在电池和组件

158.75 超额利润 4 分钱,M6 超额利润 13 分钱,M6 利润空间比 158.75 方单晶大约高 4 个百分点。在组件 售价端,158.75 可溢价 2 分钱,M6 可溢价 8 分钱;在成本端,158.75 可降低 2 分钱,M6 可降低 5 分钱,因而 158.75 超额利润为 4 分钱,M6 超额利润为 13 分钱。在所有环节均自产的情况下,158.75 可提高净利率 1.7 个 百分点,M6 可提高净利率 5.2 个百分点。

在利润分配方面,在目前的价格水平下,158.75 方单晶所获超额利润基本留在了硅片环节。M6 电池和组件 尚无公开报价,按照假设电池售价 1.20 元/W、组件售价 2.28 元/W 来计算,超额利润在硅片/电池/组件环节的 分配大致为 0.02/0.01/0.10 元/W,大部分超额利润流向了组件环节。

推广 M6 硅片的原动力在于增厚产业链各环节利润。由于目前硅片尺寸的另一选择是158.75,所以推广 M6 需要在产业链各环节利润空间上同时大于 M2 和 158.75 方单晶。

静态情景:M6 组件定价与 M2 相同,让利下游电站,推动渗透率提升

最直接的推广方式是将 M6 组件价格设定为与 M2 相同,从而将电站端的系统成本摊薄让利给下游电站, 快速提升下游电站对 M6 组件的认可度。

目前 M2 组件价格为 2.20 元/W,若 M6 组件价格同样定为 2.20 元/W,则相应的 M6 电池价格需要下调为 1.20 元/W,与 M2 电池价格相同,以保证组件环节 M6 净利率大于 M2;硅片价格可以维持 3.47 元/片不变,此 时电池净利率可保持在 18.3%,依旧高于 M2 电池的净利率 17.8%。在此情境下,M6 各环节净利率均超过 M2, 有利于 M6 推广。

与 158.75 方单晶相比,此时 M6 各环节超额利润为 5 分钱,而 158.75 方单晶超额利润为 4 分钱,M6 更有 优势。具体到各环节来看,M6 硅片环节净利率稍低,但电池和组件环节净利率高,更有利于全产业链共同发展。

动态情景:M6 定价紧跟 M2 即可始终保持竞争优势

在组件价格方面,M6 与 M2 定价保持一致,即可使 M6 组件保持在下游电站选型中的竞争优势。

在电池价格方面,M6 与 M2 定价保持一致,则可使组件环节的成本摊薄沉淀为组件环节的利润,使得对下 游组件厂来说生产 M6 组件时的毛利率始终高于 M2,因而 M6 组件更有吸引力。

在硅片价格方面,保持 M6 与 M2 单位面积的价格相同,则可使电池环节的成本摊薄沉淀为电池环节的利润,使得对电池厂来说生产M6 电池时的毛利率始终高于 M2,因而 M6 电池更有吸引力。

对硅片环节来说,保持 M6 与 M2 单位面积的价格相同则 M6 净利率比 M2 高 4 个点,硅片环节亦有推广动 力。这也为后续继续降价让利给电池、组件、电站留出了更多空间。

增大硅片尺寸的限制在于现有设备的兼容性。通过梳理拉棒切片、电池、组件三个环节用到的主要生产设 备,我们发现现有主流设备可以兼容 M6 硅片,但这一规格已基本达到现有设备允许的尺寸上限,继续增大硅 片尺寸则需重新购置部分设备,使得增大尺寸带来的成本下降被新购设备带来的成本上升所抵消。

拉棒与切片环节:单晶炉等关键设备裕度大,部分设备接近尺寸上限

在拉棒与切片环节,生产工艺主要分为拉棒、切方、切片三步,分别用到了单晶炉、截断机与开方机、切 片机等 4 种设备。总的来看,对于 M6 硅片来说,单晶炉与开方机尺寸尚有较大余量,截断机已接近部分厂家 设备尺寸的上限。

单晶炉:热屏尺寸尚有较大余量。当前主流单晶厂家热屏内径均留有较大余量。M2 硅片外径为 210 mm, 对应的圆棒直径为 214 mm 左右;M6 硅片外径为 223 mm,对应的圆棒直径为 228 mm。当前主流单晶炉热屏内 径在 270 mm 左右,拉制直径 228 mm 硅棒完全可行,且无须重大改造。

截断机:M6 尺寸在目前设备加工规格范围内,但已接近设备加工规格上限。切断机用于将硅棒切成小段, 其加工规格较难调整。以连城数控官网提供的多线切断机主要参数来看,其适用的单晶硅棒直径为 155-230 mm。 而 M6 硅片对应的圆棒直径是 228 mm,在该设备加工规格范围内,已接近设备加工规格上限。

开方机:加工尺寸裕度较大。开方机用于将圆棒切成方棒。以高测股份单棒四线开方机为例,其切割棒料 直径为 200-300 mm,开方尺寸为 157-210 mm。M6 硅片对应的方棒直径为 223 mm,开方尺寸为 166 mm,现有 设备裕度较大。

电池环节:扩散炉内径最关键,目前可满足要求

目前主流 PERC 电池的生产工艺分为清洗制绒、扩散、刻蚀、镀膜、激光刻划、印刷栅线、烧结等工序,涉 及的关键设备有扩散炉、PECVD、激光刻槽机、丝网印刷机、烧结炉等。其中扩散炉、PECVD、烧结炉等管式加 热或真空设备尺寸难以调整,因而是硅片加大尺寸的瓶颈环节。若硅片尺寸超出现有设备极限,则只能购置新 设备,成本较高。目前常见的管式设备内径最小 290 mm。

扩散炉:圆棒直径需小于扩散炉炉管直径。在扩散工序中,一般使用石英舟承载硅片,然后将石英舟放置 于扩散炉炉管中。在扩散炉中,硅片轴线方向一般与扩散炉轴线方向平行,因而硅片尺寸需在扩散炉炉管截面 之内,即硅棒的圆棒直径需小于扩散炉炉管直径,且需要留有一定的操作空间。将硅片边距由 156.75 mm 提高 到 166 mm 的同时,硅片外径将由 210 mm 增大到 223 mm,对于内径 290 mm 的扩散炉来说尚可行。在石英舟 方面,其尺寸经过合理设计一般可以满足M6 硅片进出炉体的要求。

PECVD:硅片边距需小于 PECVD 炉管内径。PECVD 与扩散炉的情况有以下两点不同:1)在 PECVD 中,使 用石墨舟装载硅片;2)硅片轴线与 PECVD 炉管轴线垂直放置,因而只需硅片边距小于 PECVD 炉管内径即可。 为了提高 PECVD 产能,炉管内径一般较大,以叠放更多硅片。将硅片边距由 156.75 mm 提高到 166 mm 对于内 径 450 mm 的 PECVD 来说无障碍。

丝网印刷机:M6 硅片可兼容。丝网印刷机的传输系统、旋转平台、刮刀头、视觉系统均与硅片尺寸相关。

以科隆威为例,其官网挂出的唯一一款全自动视觉印刷机PV-SP910D 可兼容 M6 硅片。

组件环节:排版串焊与层压设备均近极限

组件环节主要分为排版串焊、叠层、层压、装框、装接线盒、固化清洗、测试包装等工序,主要需要用到 排版机、串焊机、层压机等设备。

排版串焊:可兼容,问题不大。排版串焊机的关键尺寸是组件长和宽,若组件尺寸在设备允许范围内,则 只需更改设置即可适用于大硅片组件;若超出设备允许的最大组件尺寸,则很难通过小技改来兼容。以金辰的 高速电池串自动敷设机为例,其适用玻璃组件范围为长 1580-2200 mm、宽 800-1100 mm。预计使用 M6 硅片的 72 型组件长 2120 mm、宽 1052 mm,在排版串焊设备允许范围内。

层压:层压机尺寸已达极限。层压机的层压面积较大,一般一次可以处理多个组件。以金辰 JCCY2336-T 层 压机为例,其层压面积为 2300 mm×3600 mm。在使用 M2 硅片时,该层压机一次可处理 4 块 60 型组件,或 3 块 72 型组件。在使用 M6 硅片时,该层压机同样可以一次处理 4 块 60 型组件或 3 块 72 型组件。对于 60 型组 件来说,处理 M2 硅片组件时,该层压机长度方向的余量为 240 mm,较为宽裕;但处理M6 硅片组件时,由于 单片电池尺寸增大 9.25 mm,60 型组件长度将加长 92.5mm,层压机长度方向的余量仅剩 55 mm,较为紧张。

辅材尺寸易调整。组件辅材主要包括光伏玻璃、EVA、背板、接线盒等。其中光伏玻璃、EVA、背板目前幅 宽可生产 166 及更大尺寸材料,仅需调整切割尺寸即可。接线盒不涉及尺寸问题,仅需考虑组件功率提高后接 线盒内部线缆材料可能需要使用更高等级材料。

……

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