今天百科互动给各位分享美光科技上涨超过4%，该公司表示，内存市场已经触底，库存余额在上个季度达到顶峰的知识，其中也会对进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
本文目录：
现在的内存颗粒厂商及详细参数
我们经常用到的内存品牌有：海盗船、Kingston（金士顿）、Kingmax（胜创）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、现代（HYNIX）等。杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盗船内存主要用于服务器或者发烧玩家，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，推荐选购Kingston的VALUERAM盒装内存，以及APACER盒装内存（建议购买英飞凌”INFINEON“颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，品质上没有任何问题，大家完全可以放心使用。如果资金不是很宽裕，建议购买非打磨现代的内存，经实践证明原厂现代内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，现代的内存假货严重泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买现代的兼容内存，建议你一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上不推荐购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax内存之所以不推荐，就是因为Kingmax内存与某些主板（如早期NFORCE 2芯片组）的兼容性不是很好，但其自身的品质和性能绝对也是业界一流的。希望在购买的时候一定要当场试试，看有没有兼容性问题.
现代颗粒：
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。
目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。
海力士（Hynix）颗粒：
与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。
KINGSTON系列：
虽然他比KINGMAX出道晚，但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红，可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先，正品的封口贴纸印刷色彩丰富。假冒的产品则逊色很多。
如果不能通过包装外表来识破真假，那么就看看内存颗粒，假货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品则是以SAMSUNG，HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真假。
三星原厂颗粒：
三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的，自从去年进入市场以来也都没有过的清闲，频繁受到了仿冒品的骚扰。
现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条，做工较为粗糙，PCB质量较为低劣，并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰，而仿冒品则有摩擦过的痕迹。
内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然，而仿冒品则比较零乱，包括焊点的质量，谁真谁假一目了然。
为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术，在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸，同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本，不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。
三星内存颗粒上的编号“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封装方式。
一、三星DDR系列内存芯片：
三星TCB3颗粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
三星TCC4颗粒：
TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。
三星TCC5颗粒：
TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀很多，一般多用在DDR466内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应，200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。
三星TCCD颗粒：
TCCD：TCCD是另一款经典高频颗粒，可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达到，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，不少采用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。
三星UCCC颗粒：
此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧，选用UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6，在不加电压超频模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相对价格也要便宜一些，非常适合大众选择。
三星DDR2系列内存芯片
GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品
使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力。
目前全球速度最快的三星金条DDR2-800采用三星ZCE7颗粒
最近生产的三星颗粒上，厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了
DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、***5/ZCD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和***5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存，多选用这种颗粒。
KINGMAX系列：
KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名，同时因为技术的独特性也一定程度抑制了假货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列，这个系列采用了TSOP封装技术，当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。
不过KINGMAX公司也意识到了这一点，对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片)，该颗粒采用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装，内部存储了ID CODE，具有全球统一识别码，也就是说拥有唯一性，同时还附上了800电话的查询贴纸，这样假货就无处藏身了。
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Winbond(华邦)系列
Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。
1、BH-5
BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。
当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节，采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压(毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间)。
2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。
2、CH-5
CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X，频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。
不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少采用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均采用了CH-5颗粒。
3、BH-6
BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在3.2-3.4V电压下可以稳定工作在240-250MHz。
不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上采用了BH-6颗粒。
4、CH-6
CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2-3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。
UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。
UTT颗粒在辨认上显得有点困难，可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征(颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片)。
一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了采用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。
华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。
镁光(Micron)系列颗粒
镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。
1、-5B C
说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。
镁光的颗粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均采用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括Crucial，OCZ和其他品牌。
-5B G
-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就采用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。
-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。
美光内存芯片编号的说明如下：
美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。
在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。
Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Infineon(英飞凌)系列颗粒
Infineon(英飞凌)科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。
1、B5
这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev. 3.1这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。
2、BT-6
这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz，2.5-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到200MHz，CAS2.5的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。
3、BT-5
目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常优化时序为2.5-3-2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。
英飞凌内存芯片编号的说明如下：
在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码）
西门子内存颗粒(实际上还是上面的英飞凌)
目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
南亚科技（Nanya）
南亚内存芯片编号说明如下：
南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则。
尔必达（ELPIDA）
尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存芯片编号说明如下：
尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。
茂矽（MOSEL VITELIC）
茂矽内存芯片编号说明如下：
茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。
2003年世界最大十家DRAM厂商排名：
从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。
最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。
美光科技股票回购的真实原因是什么？
在周末中美经贸磋商达成“止战”的共识后，美光科技周一又公布靓丽财报，并宣布批准100亿美元股票回购计划，还与英特尔达成合作协议。受此提振，美光科技股价大幅反弹，今年累涨35%。
对于美国明星芯片股、美国最大内存芯片制造商美光科技(Micron)而言，周一显然是个好日子。
在周末中美经贸磋商达成“不打贸易战”的共识之后，美光科技周一又公布了靓丽财报，宣布批准100亿美元股票回购计划，还与英特尔达成合作协议。受此提振，美光科技股价大幅反弹。
盘后交易时段，美光科技宣布已经与同为芯片巨头的英特尔(Intel)达成协议，双方将联手研制用于闪存驱动和数字摄像机的下一代芯片。随后，公司宣布将回购规模100亿美元的股票。
美光科技在财报中上调了第三财季业绩展望，预计届时每股收益3.12-3.16美元，收入为77亿美元至78亿美元，分别高于此前预期的每股收益2.76-2.9美元，收入72亿美元至76亿美元。
接受FactSet调查的分析师平均预期每股收益为2.86美元，收入为74.9亿美元。
对此，美光科技总裁兼首席执行官、来自印度的Sanjay Mehrotra在财报中解释：“之所以上调第三财季业绩预期，主要是在整个芯片产业基本面健康发展的背景下执行我们的战略所致。”
周一，美光科技大幅高开，涨幅逾5.4%，收盘涨3.91%。盘后，该股进一步上涨3.46%，至57.40美元。该股今年累计涨幅已达35%。
一位华尔街分析师上周表示，如果投资者想受益于芯片产业的长期增长，那么，美光科技是一个很好的方式。RBC Capital Markets分析师Amit Daryanani称：
美光科技为投资者提供了一种接触DRAM(动态随机存储器)和NAND(计算机闪存)市场的独特方式，我们认为，该股的估值也极具吸引力。
看多美光科技的不只是Amit Daryanani。
根据SEC的13F仓位披露文件，对冲基金Coatue management一季度购入1450万股美光科技股份。David Tepper掌舵的Appaloosa和Stan Druckenmiller创建的Duquesne Capital Management同期增持该股。
鉴于美光科技当前低廉的市盈率，上述大佬的买入行为表明了他们对该股前景持有信心，而多数投资者现在对包括该股在内的科技股持有疑虑。
美光科技在一季度经历了长达近两个月的窄幅震荡格局，随后大幅冲高，华尔街纷纷看好。但自3月下旬至本月初，该股发布令人失望的财报之后，很多投资者质疑该股前景，该股随即震荡走低。
一季度知名对冲基金行业大佬入市抄底，可能意味着市场对美光科技的立场有望转变。
从事投资银行和经纪业务机构Stifel Nicolaus的分析师Kevin Cassidy周二将美光科技的目标价上调至101美元，这在华尔街处于较高预期。
考虑到美光科技周一收盘报55.48美元，这意味着Kevin Cassidy 认为该股未来可能翻倍。
最大内存芯片制造商美光科技官宣新建巨型晶圆厂的计划，对当地将有何作用?
一、据该公司称，新的 NAND 已经以有限的数量交付给客户和 Crucial 英睿达 SSD 产品，今年晚些时候将进一步增加产量。美光表示，232层NAND 技术 可以 支持资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和 个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。最终可能有 4 座 600,000 平方英尺无尘室，达 240 万平方英尺，约相当于 40 个美式足球场。
纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术 ，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。
二、在2031年-2040年期间，美光将致力于推动DRAM在美产量
的增长，目标是占全球产量的40%以上。
总统拜登盛赞美光投资是美国又一次胜利，创造数以万计高薪工作。不过近期存储器市场放缓，美
光执行长 Sanjay Mehrotra 也表示个人计算机和智慧手机需求放缓，到 2023 财年资本支出下降
30% 以上，金额约 80 亿美元。
从市场预期看，2022年全球半导体市场仍将保持增长，但是增幅低于2021年。根据Gartner数据显
示，全球半导体市场在2021年达到5529亿美元，同比增长26%；预计到2022年将进一步增长9%，
达到6014亿美元。从arrow报告趋势来看，存储芯片的交期和价格趋于平稳。据相关机构调查显
示，自6月以来，DRAM现货价格开始下滑，在近两个月的时间里下滑了近20%。
美光是一家基于DRAM、NAND、3D XPoint内存、NOR等半导体技术的内存和存储产品制造商。
总部位于爱达荷州博伊西 ，在中国台湾、新加坡、日本、美国、中国大陆和马来西亚都建有工厂，并通过某些外包进行生产。
三、以美光和关键品牌的形式销售产品，包括晶圆、元件、模组、
SSD、managed NAND和MCP产品。美光的四个业务部门:
计算与联网业务(CNBU，约占收入的43%)：主要负责为云服务、企业、图形处理和互联网等市
场提供存储产品。据
移动业务 (MBU，约占收入的27%)：包括销售到智能手机和其他移动设备市场的内存产品，包
括NAND、DRAM。
存储业务（SBU，约占收入的18%)：主要是为企业和云存储市场提供固态硬盘和组件及解决方
案。
嵌入式业务 (EBU，约占收入的13%)：该部门主要负责为汽车和工业等市场提供存储产品，包括
各种DRAM、NAND 和 NOR。
美光是美国第一大、全球第三大内存芯片 公司，市场份额超过20%，不过主要生产并不在美国，
而且三星及SK海力士 两家韩国公司就占据了全球70%的内存份额。
但美光近日宣布他们的下一代 232 层 NAND 已经开始出货。这是存储的分水岭！美光的第六代
3D NAND 技术 232L 将提供更高的带宽和更大的芯片尺寸最值得注意的是，美光推出了目前
业界最密集的 1Tbit TLC NAND 芯片。
四、关于NAND，我记得长存的进展是192L。芯片法案的产物
《芯片与科学法案2022》总额2800多亿美元的科技补贴法案，其中针对半导体领域的就有520多亿
美元，开始给美国的芯片行业输血补贴。旨在重振美国国内芯片制造，提高美国竞争力。尽管美国
生产的半导体占世界供应总量约10%，但全球另外75%的半导体生产都依赖于东亚地区。
该法案也促使高通（Qualcomm）决定从格罗方德（GlobalFoundries）纽约工厂加购价值42亿美
元的芯片。美光表示大型半导体工厂将成为全球最大半导体厂区，完工后可创造约 50,000 个就业机会，第一阶段投资金额预估 200 亿美元，将在纽约州克莱镇 新建一个巨型内存工厂，2023 年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。
作为全球领先无晶圆半导体公司，高通宣布计划在未来5年将其在美国的半导体产量增加
50%。
同样，英特尔在一月份曾宣布计划投资1千亿美元用于在俄亥俄州建造新的芯片厂区，启动资金高达
200亿美元。该项目的全面建成也离不开此芯片法案 的资助。
五、该公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在《芯片和科学法案》预计带来的补贴和支持
下，这项投资案将在美国制造最先进的存储器，并将美国国内内存产量从不足全球市场的2%推升至
10%。低端制造业的战略无法执行，中端的汽车呢？好像也不乐观。
高端的航空航天和芯片，至少波音这
边翻车连连，但好在私营部门的空x进展顺利；半导体这边英特尔的服务器至强芯片出了12版还没
能量产，也并不是那么顺利。
所以镁光这个扩产计划，理论可行，实际上美国也能干预全球芯片市场（只有中美日韩四个国家做
存储，都受美国约束）。
但实际执行成什么样，还不确定。
包括英特尔的ucie，fab2.0，都是非常漂亮，理论上万事俱备的概念，但说实话我确实想不明白，富
士康为啥都搞不起来。
所以，无论是英特尔镁光的扩产，还是台积电三星在美国建厂，都还需要看后续。都是很漂亮的计划，但按照经验来看执行是有难度的。
关于美光科技上涨超过4%，该公司表示，内存市场已经触底，库存余额在上个季度达到顶峰和的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。
